最新型ウェーハ分布測定装置YWafer-RD8が豊田中央研究所 様に納入されました。

励起条件の自動制御(スポットサイズやNDフィルターによる励起光の減衰)のみならず、冷却CCD型分光とフォトダイオード法の両方を用いた超高感度検出を搭載した機能により、これまでにはない広範囲の強度にわたって微弱な不純物発光を測ることができます。

RD8-CP-325 image

豊田中央研究所 様の研究者によると、「RD8により、5桁以上の励起強度範囲における発光を高感度に取得でき、かつウェーハのマッピング・励起強度可変を完全自動で行えるのでとても便利だ」そうです。

広範囲にわたる励起条件を変えることでバンドエッジ発光と不純物発光を比べることができることで、SiCやGaN系ハイパワー半導体素子の信頼性について重要な情報が得られ、結晶成長の質を数値化することができます。

YWafer-RD8は今までのGSやYB型の製品以上の性能と速さを持ち、最大200 x 200mm または 8インチウェーハの面積に対応した多機能マッピング装置です。

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