第6回 窒化物半導体国際シンポジウム (ISGN-6) ヤング・サイエンティスト・アワード受賞
 受  賞  日: 2015.11.12
 受賞題目: Growth of InGaN well layer with an in-situ monitoring system
 論文タイトル: Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scatterin
 受賞者名: 山本哲也 氏
 ISGN-6のホームページ: http://isgn6.jp/  
 
   

名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻の山本哲也氏が、2015年8月13日に浜松で開かれた第6回 窒化物半導体国際シンポジウム (ISGN-6) において、ヤング・サイエンティスト・アワードを受賞されました。 本研究には弊社のYGrowthMonitor(ワイ・グロース・モニタ)が適用されており、研究結果ではYGM技術により高密度のInGaN成長条件を最適化できる可能性を示しています。

結晶成長中に起こる現象の解明や、様々な成長パラメータの最適化については未だ大きな課題となっています。例えば、InGaNの結晶成長では、LEDの発光効率は成長過程に生じる余剰なインジウム(In)により、結晶表面の粗さ発症などを含む影響を受けます。山本氏の論文では、複数波長の散乱強度を測定するYGM技術を用いた場合、短波長の散乱強度を測定することで結晶表面の粗さを観察することが可能となり、長波長の散乱強度を観察することでInの取り込み量を見積もることが可能となります。そのため、成長中の余剰Inの挙動観察が可能になり、結晶成長過程の最適化における主要なパラメータとなる表面粗さを評価できると報告されています。 

本装置について山本氏からは、「YGM装置を用いて行うレーザー散乱のその場観察は、様々な要因に作用されやすいmetal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE)成長においてInGaN層の品質管理や再現性を得るのに非常に有用です。また、結晶成長中に起こる現象についての知見を得られる、また、その知見が成長条件の最適化に重要となるため、結晶成長中のその場観察の研究には欠かせない存在となっています。」との評価をいただきました。

弊社一同、山本氏の栄えある受賞を心からお祝い申しあげますと共に、今後の更なる研究にも弊社がお役に立てればと思います。

ご希望の感度、速度にて測定可能ですので、光応用計測の無理難題をお申し付けください。
詳細については、お気軽にお問い合わせください。

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